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热电制冷也叫温差电制冷、半导体制冷或电子制冷,是以温差电现象为基础的制冷方法。它是利用“塞贝克效应”的逆效应——珀尔帖效应的原理制冷的。
塞贝克效应就是一百多年前人们发现的温差电现象。即在两种不同金属组成的闭合线路中,如果保持两接触点的温度不同,就会在两接触点间产生一个电势差——接触电动势,同时闭合线路中就有电流流动,称为温差电流。反之,在两种不同金属组成的闭合线路中,若通以直流电流,就会使一个接点变冷,另一个接点变热。这种现象称为珀尔帖效应。此效应是由法国科学家Jean C.A.Peltier在1834年发
现的,亦称温差电现象。
由于半导体材料内部结构的特点,决定了它产
生的温差电效应比其它金属更显著。所以热电制
冷都采用半导体材料,故亦称为半导体制冷。
由一块P型半导体和一块N型半导体联结成的
电偶,如图1—7所示。当通过直流电流I时,P
型半导体内载流子(空穴)和N型半导体内载流子(电子),在外电场作用下产生运动。由于载流子(空穴和电子)在半导体内和金属片内具有的势
能不一样,势必在金属片与半导体接头处发生能量的传递及转换。因为空穴在P型半导体内具有的势能,高于空穴在金属片内的势能,在外电场作用下,当空穴通过结点a时,就要从金属片I中吸取一部分热量,以提高自身的势能,才能进入P型半导体内。这样,结点a处就冷却下来。当空穴过结点b时,空穴将多余的一部分势能传递给结点b而进入金属片II,因此,结点b处就热起来。同理,电子在N型半导体内的势能大于在金属片中的势能,在外电场作用下,当电子通过结点d时,就要从金属片III中吸取一部分热量,转换成自身的势能,才能进入N型半导体内。这样结点d处就冷却下来。当电子运动到达结点c时,电子将自身多余的一部分势能传给结点c而进入金属片II,因此节点c处就热起来。这就是热电偶制冷与发热的基本原理。如果将电源极性互换,则电偶对的制冷端与发热端也随之互换。
一对电偶(由一块P型半导体和一块N型半导体组成)的制冷量是很小的,如此Φ6mm×
7mm的电偶对,其制冷量仅为0.92一1.16W。为了获得较大的冷量,可将很多对电偶串联组成热电堆,称单级热电堆。单级热电堆通常只能得到大约50℃的温差.为了得到更低的冷端温度,可用串联、并联及串并联的方法,组成多级热电堆,上一级热电堆的热端贴在下一级热电堆的冷端,下一级热电堆实际上起着上一级热电堆的散热器作用。图1-a\b为二级热电堆串联和并联型式。图1—8c为串并联三级热电堆结构示意。
半导体制冷是靠空穴和电子在运动中直接传递能量来实现的。它与蒸汽压缩式和吸收式制冷比较有如下特点:
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